Senibina ganda dalam cip tunggal
Mikrokontroler menyediakan prestasi yang lebih baik, kecekapan tenaga, fleksibiliti dwi-teras, dan pilihan I/O, sesuai untuk aplikasi masa nyata dan projek rendah, projek tertanam.
Raspberry Pi telah mengeluarkan RP2350, menandakan kemajuan dalam barisan mikrokontrolernya.Cip ini direka untuk memberikan prestasi yang lebih baik sambil mengekalkan kecekapan tenaga, menjadikannya tambahan yang berguna kepada masyarakat pembuat dan sistem tertanam.
RP2350 mempunyai teras dual cortex M33 dengan unit titik terapung terbina dalam, menyediakan keupayaan pengiraan untuk projek tertanam.Ia juga menggabungkan teras Dual RISC-V Hazard3 bersama-sama dengan teras lengan, walaupun hanya dua teras yang boleh aktif pada bila-bila masa.Reka bentuk hibrid ini membolehkan fleksibiliti dalam mengimbangi antara seni bina untuk aplikasi yang berbeza.
Dengan kelajuan jam 150 MHz, RP2350 membolehkan pemprosesan data yang lebih cepat, terutamanya berguna untuk aplikasi masa nyata.Cip ini juga termasuk tiga unit I/O (PIO) yang boleh diprogramkan, meningkatkan fleksibiliti untuk interfacing dengan peralatan luaran dalam projek I/O yang didorong.
Walaupun peningkatan kuasa, seni bina baru dioptimumkan untuk kecekapan tenaga, menyampaikan hampir dua kali prestasi pada jam saham semasa menggunakan kuasa kurang daripada model terdahulu.Keseimbangan antara kuasa dan kecekapan menjadikan RP2350 sesuai untuk kedua -dua projek penggemar dan profesional.
RP2350 menyediakan pengguna dengan kuasa dan fleksibiliti melalui memori on-cip yang besar, pemproses dwi-teras simetri, kain bas deterministik, dan satu set periferal yang dipertingkatkan oleh subsistem I/O (PIO) yang boleh diprogramkan.Dokumentasi, Port Micropython, dan bootloader UF2 terbina dalam ROM menawarkan aksesibiliti dan penghalang yang rendah untuk masuk untuk pemula dan penggemar.
Sebagai peranti tanpa stateless, ia menyokong Cache Execute-in-Place dari memori QSPI luaran.Ini membolehkan pengguna memilih kepadatan penyimpanan yang tidak menentu untuk keperluan mereka sambil mendapat manfaat daripada penjimatan kos komponen flash komoditi.
Dibina pada nod proses 40 nm, RP2350 menyampaikan prestasi dengan penggunaan kuasa dan kebocoran dinamik yang rendah.Ia juga menawarkan mod kuasa rendah, menjadikannya sesuai untuk aplikasi berkuasa bateri yang memerlukan masa operasi yang dilanjutkan.
